三星S6/小米新机将用上UFS 2.0闪存？速度达1.2GB/s

三星S6/小米新机将用上UFS 2.0闪存？速度达1.2GB/s

结论：三星和小米双双瞄准高速存储技术，三星计划在明年的Galaxy S6旗舰手机中采用UFS 2.0 NAND存储芯片，其数据传输速度惊人，每秒可达到1.2GB，远超目前eMMC NAND闪存的400MB/s。UFS技术结合了SSD与高效MMC卡的优势，能有效支持大容量数据在高速网络如LTE-A下的传输，甚至包括超高清视频。相比于eMMC 5.0，UFS的功耗仅为一半，显示出显著的性能提升和能耗优势。小米也计划在下一代产品中采用UFS技术，尽管具体型号和计划尚不明朗。三星则透露，他们正逐步转向基于UFS的解决方案，以替代传统的SD和MicroSD卡，这预示着在高端市场，UFS将成为存储设备的主流选择。三星Galaxy S6作为三星的旗舰，显然将是这场技术革新的重要载体，但具体的配置细节仍有待官方确认。